叫大点声今晚家里没人冷教授

banner
關于合明 資訊中心

先進封裝清洗劑國產品牌與基于Z軸延伸的先進封裝技術介紹

發布日期:2023-01-09 發布者:合明科技 瀏覽次數:973

今天小編為大家帶來一篇關于先進封裝清洗劑國產品牌與基于Z軸延伸的先進封裝技術介紹~

為了便于區分,我們將先進封裝分為兩大類:① 基于XY平面延伸的先進封裝技術,主要通過RDL進行信號的延伸和互連;② 基于Z軸延伸的先進封裝技術,主要是通過TSV進行信號延伸和互連。

基于Z軸延伸的先進封裝技術主要是通過TSV進行信號延伸和互連,TSV可分為2.5D TSV和3D TSV,通過TSV技術,可以將多個芯片進行垂直堆疊并互連。

一、CoWoS

CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)是 2.5D封裝技術,CoWoS是把芯片封裝到硅轉接板(中介層)上,并使用硅轉接板上的高密度布線進行互連,然后再安裝在封裝基板上,如下圖所示。

1-先進封裝清洗劑國產品牌與基于Z軸延伸的先進封裝技術介紹~合明科技.png

二、HBM

HBM(High-Bandwidth Memory )高帶寬內存,主要針對高端顯卡市場。HBM使用了3D TSV和2.5D TSV技術,通過3D TSV把多塊內存芯片堆疊在一起,并使用2.5D TSV技術把堆疊內存芯片和GPU在載板上實現互連。下圖所示為HBM技術示意圖。

2-先進封裝清洗劑國產品牌與基于Z軸延伸的先進封裝技術介紹~合明科技.png

HBM目前有三個版本,分別是HBM、HBM2和HBM2E,其帶寬分別為128 GBps/Stack、256 GBps/Stack和307 GBps/Stack,最新的HBM3還在研發中。

三、HMC

HMC(Hybrid Memory Cube)混合存儲立方體,其標準由美光主推,目標市場是高端服務器市場,尤其是針對多處理器架構。HMC使用堆疊的DRAM芯片實現更大的內存帶寬。另外HMC通過3D TSV集成技術把內存控制器(Memory Controller)集成到DRAM堆疊封裝里。下圖所示為HMC技術示意圖。

3-先進封裝清洗劑國產品牌與基于Z軸延伸的先進封裝技術介紹~合明科技.png

對比HBM和HMC可以看出,兩者很相似,都是將DRAM芯片堆疊并通過3D TSV互連,并且其下方都有邏輯控制芯片,兩者的不同在于:HBM通過Interposer和GPU互連,而HMC則是直接安裝在Substrate上,中間缺少了Interposer和2.5D TSV。

四、Wide-IO

Wide-IO通過將Memory芯片堆疊在Logic芯片上來實現,Memory芯片通過3D TSV和Logic芯片及基板相連接,如下圖所示。

4-先進封裝清洗劑國產品牌與基于Z軸延伸的先進封裝技術介紹~合明科技.png

Wide-IO具備TSV架構的垂直堆疊封裝優勢,有助打造兼具速度、容量與功率特性的移動存儲器,滿足智慧型手機、平板電腦、掌上型游戲機等行動裝置的需求,其主要目標市場是要求低功耗的移動設備。

五、Foveros

EMIB與Foveros的區別在于前者是2D封裝技術,而后者則是3D堆疊封裝技術,與2D的EMIB封裝方式相比,Foveros更適用于小尺寸產品或對內存帶寬要求更高的產品。其實EMIB和Foveros在芯片性能、功能方面的差異不大,都是將不同規格、不同功能的芯片集成在一起來發揮不同的作用。不過在體積、功耗等方面,Foveros 3D堆疊的優勢就顯現了出來。Foveros每比特傳輸的數據的功率非常低,Foveros技術要處理的是Bump間距減小、密度增大以及芯片堆疊技術。
下圖所示是 Foveros 3D封裝技術示意圖。

5-先進封裝清洗劑國產品牌與基于Z軸延伸的先進封裝技術介紹~合明科技.png

首款Foveros 3D堆疊設計的主板芯片LakeField,它集成了10nm Ice Lake處理器以及22nm核心,具備完整的PC功能,但體積只有幾枚美分硬幣大小。

雖說Foveros是更為先進的3D封裝技術,但它與EMIB之間并非取代關系,英特爾在后續的制造中會將二者結合起來使用。

六、Co-EMIB(Foveros + EMIB)

Co-EMIB是EMIB和Foveros的綜合體,EMIB主要是負責橫向的連結,讓不同內核的芯片像拼圖一樣拼接起來,而Foveros則是縱向堆棧,就好像蓋高樓一樣,每層樓都可以有完全不同的設計,比如說一層為健身房,二層當寫字樓,三層作公寓。
將EMIB和Foveros合并起來的封裝技術被稱作Co-EMIB,是可以具有彈性更高的芯片制造方法,可以讓芯片在堆疊的同時繼續橫向拼接。因此,該技術可以將多個3D Foveros芯片通過EMIB拼接在一起,以制造更大的芯片系統。下圖是Co-EMIB技術示意圖。

6-先進封裝清洗劑國產品牌與基于Z軸延伸的先進封裝技術介紹~合明科技.png

Co-EMIB封裝技術能提供堪比單片的性能,達成這個技術的關鍵,就是ODI(Omni-Directional Interconnect)全向互連技術。ODI具有兩種不同型態,除了打通不同層的電梯型態連接外,也有連通不同立體結構的天橋,以及層之間的夾層,讓不同的芯片組合可以有極高的彈性。ODI封裝技術可以讓芯片既實現水平互連,又可以實現垂直互連。

Co-EMIB通過全新的3D + 2D封裝方式,將芯片設計思維也從過去的平面拼圖,變成堆積木。因此,除了量子計算等革命性的全新計算架構外,CO-EMIB可以說是在維持并延續現有計算架構與生態的最佳作法。

七、SoIC

SoIC也稱為TSMC-SoIC,是一項新技術——集成片上系統(System-on-Integrated-Chips),預計在2021年,臺積電的SoIC技術就將進行量產。

究竟什么是SoIC?所謂SoIC是一種創新的多芯片堆棧技術,能對10納米以下的制程進行晶圓級的集成。該技術最鮮明的特點是沒有凸點(no-Bump)的鍵合結構,因此具有有更高的集成密度和更佳的運行性能。
SoIC包含CoW(Chip-on-wafer)和WoW(Wafer-on-wafer)兩種技術形態,從TSMC的描述來看,SoIC就一種WoW晶圓對晶圓或CoW芯片對晶圓的直接鍵合(Bonding)技術,屬于Front-End 3D技術(FE 3D),而前面提到的InFO和CoWoS則屬于Back-End 3D技術(BE 3D)。TSMC和Siemens EDA(Mentor)就SoIC技術進行合作,推出了相關的設計與驗證工具。
下圖是3D IC和SoIC集成的比較。

7-先進封裝清洗劑國產品牌與基于Z軸延伸的先進封裝技術介紹~合明科技.png

具體的說,SoIC和3D IC的制程有些類似,SoIC的關鍵就在于實現沒有凸點的接合結構,并且其TSV的密度也比傳統的3D IC密度更高,直接通過極微小的TSV來實現多層芯片之間的互聯。如上圖所示是3D IC和SoIC兩者中TSV密度和Bump尺寸的比較。可以看出,SoIC的TSV密度要遠遠高于3D IC,同時其芯片間的互聯也采用no-Bump的直接鍵合技術,芯片間距更小,集成密度更高,因而其產品也比傳統的3D IC有更高的功能密度。

八、X-Cube

X-Cube(eXtended-Cube)是推出的一項3D集成技術,可以在較小的空間中容納更多的內存,并縮短單元之間的信號距離。
X-Cube用于需要高性能和帶寬的工藝,例如5G,人工智能以及可穿戴或移動設備以及需要高計算能力的應用中。X-Cube利用TSV技術將SRAM堆疊在邏輯單元頂部,可以在更小的空間中容納更多的存儲器。
從X-Cube技術展示圖可以看到,不同于以往多個芯片2D平行封裝,X-Cube?3D封裝允許多枚芯片堆疊封裝,使得成品芯片結構更加緊湊。芯片之間采用了TSV技術連接,降低功耗的同時提高了傳輸的速率。該技術將會應用于最前沿的5G、AI、AR、HPC、移動芯片以及VR等領域。

8-先進封裝清洗劑國產品牌與基于Z軸延伸的先進封裝技術介紹~合明科技.png

X-Cube技術大幅縮短了芯片間的信號傳輸距離,提高數據傳輸速度,降低功耗,并且還可以按客戶需求定制內存帶寬及密度。目前X-Cube技術已經可以支持7nm及5nm工藝,三星將繼續與全球半導體公司合作,將該技術部署在新一代高性能芯片中。

九、先進封裝產品清洗劑:

先進封裝產品芯片焊后封裝前,基板載板焊盤上的污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。

針對先進封裝產品芯片焊后封裝前,基板載板焊盤、電子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比較豐富的經驗,對于有著低表面張力、低離子殘留、配合不同清洗工藝使用的情況,自主開發了較為完整的水基系列產品,精細化對應涵蓋從半導體封裝到PCBA組件終端,包括有水基清洗劑和半水基清洗劑,堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現在,在同等的清洗力的情況下,合明科技的兼容性較佳,兼容的材料更為廣泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗劑清洗的錫膏種類更多(測試過的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;測試過的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,離子殘留低、干凈度更好。

想了解更多關于先進封裝產品芯片清洗的內容,請訪問我們的先進封裝產品芯片清洗產品與應用!


【閱讀提示】

以上為本公司一些經驗的累積,因工藝問題內容廣泛,沒有面面俱到,只對常見問題作分析,隨著電子產業的不斷更新換代,新的工藝問題也不斷出現,本公司自成立以來不斷的追求產品的創新,做到與時俱進,熟悉各種生產復雜工藝,能為各種客戶提供全方位的工藝、設備、材料的清洗解決方案支持。

【免責聲明】

1. 以上文章內容僅供讀者參閱,具體操作應咨詢技術工程師等;

2. 內容為作者個人觀點, 并不代表本網站贊同其觀點和對其真實性負責,本網站只提供參考并不構成投資及應用建議。本網站上部分文章為轉載,并不用于商業目的,如有涉及侵權等,請及時告知我們,我們會盡快處理;

3. 除了“轉載”之文章,本網站所刊原創內容之著作權屬于合明科技網站所有,未經本站之同意或授權,任何人不得以任何形式重制、轉載、散布、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部,亦不得有其他任何違反本站著作權之行為。“轉載”的文章若要轉載,請先取得原文出處和作者的同意授權;

4. 本網站擁有對此聲明的最終解釋權。

上門試樣申請 136-9170-9838 top
4p三个男人让我爽了一夜
最激情吻戏脱戏吻胸 精品国产三级a∨在线 丝袜骚女


叫大点声今晚家里没人冷教授